安世半导体

　　LED的MiniLED封装采用的引线框嵌入白色热塑材料。器件半强角为± 60°，视角达120°，适用于均匀照明和背光，典型正向电压2.9 V。VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08按包装单位、发光强度和颜色分装。
安世半导体此次推出的高压通用比较器系列产品，包括AWS72903 & AWS72931两个型号。该系列产品拥有高电压工作（可达36V）、开漏输出、低功耗、低输入失调电压、1.3us响应时间等优异性能，并且有内部偏置电路和补偿电路，可以提高比较器的稳定性和响应速度，广泛应用于机器人，工业控制等领域的电压检测、过流保护、开关控制等功能应用中。
　　Matter协议由连接标准联盟（Connectivity Standards Alliance，CSA）发起并管理，兼容该协议的设备平台均需要提前通过规范、严格的流程，才能接入上述统一协议中，进而确保整体Matter生态圈可获得安全、可靠和互操作的连接体验。

R34P 系列面板安装连接器可自行引导至正确的配接位置。盲配连接器专为电气插座凹进或隐藏的应用而设计 – 通常用于基站、工业机械和医疗设备中的机架到面板连接。
　　该模组基于高通骁龙?X35基带芯片组开发，具备卓越的无线性能，并支持无缝低延迟5G通信以及包括5G LAN、URLLC、网络切片在内的多项5G NR特性。
安世半导体　　TimeProvider 4500主时钟支持超大容量的精密时间协议 （PTP）任务。创新的硬件平台可为数千个客户端提供更高的IEEE-1588可扩展性。在需要平衡范围和容量的网络位置，即在C波段5G部署中，能够通过单个主时钟为数千个gNodeB提供服务至关重要。根据具体地点的不同，主时钟可以为极少数或大量的gNodeB基站提供服务。无论规模大小，运营商都能实现经济高效的灵活部署。
QSiC产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。
　　因应市场需求，希荻微推出一款具有可调限流控制功能的USB接口过压保护（OVP）芯片——HL5075，作为接口保护开关产品线的家族产品，HL5075具备出色的软启动控制和低Rds(on)特性，与同系列HL5095芯片相比，新增了1.2V I/O支持，使得HL5075能够更好地适配在目前一代处理器 的I/O电压需求。

　　ROM-2860采用超紧凑OSM Size-L尺寸（45 x 45 mm），在同尺寸核心板中以其出色的性能脱颖而出。搭载6.9W TDP的高通八核QCS6490处理器，其性能优于传统的核心模块，并以其微小体积满足如HMI和嵌入式机器视觉等各种工业和便携式应用。值得注意的是，QCS6490的性能比中端x86处理器高出近20%，同时功耗显着降低43-75%。
安世半导体　　第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。
　　CoolSiC G2的新一代SiC技术能够加速设计成本更加优化，且更加紧凑、可靠、高效的系统，从而节省能源并减少现场每瓦功率的二氧化碳排放量。
与上一代产品相比，新一代能耗降低高达50%。高能效可以减少电池更换次数，限度降低废旧电池的环境影响，让更多设计人员选用无电池设计，采用太阳能电池等能量收集系统给设备供电。