microchip芯片

　　GD32E235系列MCU与现有GD32E230、GD32F3x0系列产品保持了完美的软件代码和硬件管脚兼容性，并为开发者提供了《从GD32E230系列移植到GD32E235系列》和《GD32E235与GD32E230系列间的差异》等生态开发文档，帮助开发者灵活地进行产品切换。GD32E235系列MCU继承了GD32丰富完备的生态系统，包括各类调试量产工具、详尽的技术文档以及全面的软硬件平台等开发资源，其配套的文档手册及软件库也已同步上传至网站，方便用户使用。
microchip芯片　　这款新型接近传感器可用于智能手机和智能手表屏幕的自动唤醒和关闭，此外还可以检测用户是否佩戴真无线立体声（TWS）耳机、虚拟现实/增强现实（VR / AR）头盔和智能眼镜。为降低这些应用的成本，VCNL36828P智能双I2C从机地址可连接两个接近传感器，无需采用多路复用器。
　传统的光耦继电器方案存在光衰问题，其性能会随着时间的推移而退化，但光耦继电器的优势是无电磁干扰问题，这也是限制高压系统中光耦替代的重要因素之一。纳芯微NSI7258通过巧妙的设计，实现了业内卓越的EMI表现，在单板无磁珠的条件下即可轻松通过CISPR25 Class 5测试，并且在全频段测试中均留有充足裕量。NSI7258基于全半导体工艺进行生产，在长期使用中具有更高的可靠性。

　　随着当今技术发展突飞猛进，对于结构紧凑、坚固耐用型多功能连接器系统的需求也更甚以往。在汽车行业，对于电池管理系统、摄像系统/传感器和动力转向等新技术的需求日益增多。此外，要求连接器不仅需满足严格的性能要求，还需在恶劣环境中发挥出色性能。
该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和，无需应对多个分立式元件。
microchip芯片　　Bourns 通过四种 DIN 导轨安装设备系列为交流或直流电源轨提供 IEC 级电涌保护。
　　1270 系列交流电涌保护器符合 IEC/EN 61643-11 I 级 + II 级 / T1+T2 标准
　　1280 系列也是一样，但增加了一个热断路器，“从而无需上游过流保护”，Bourns 说道。
　　1430 系列直流电涌保护器符合 IEC/EN 61643-31 I 级 + II 级 / T1+T2 标准
　　1440系列：同样的，加上一个热断路器“有助于消除对上游过流保护的需求”，Bourns说。
　　所有产品均基于 MOV，并提供故障指示窗口和远程警报输出。
PIC64GX MPU是首款具有AMP功能的RISC-V?多核解决方案，适用于混合关键性系统。它采用四核设计，具有支持 Linux 的中央处理器（CPU）集群、第五微控制器级显示器和 2 MB 灵活的二级缓存，运行频率为625 MHz。
　　Voyager是一款符合 9.6” x 9.6” Micro ATX硬件尺寸的开发板，内含QiLai系统芯片、16GB DDR4 SIMM插槽、JTAG调试器、USB到UART网桥、I2S音频编译码器、16Mb SPI Flash启动程序代码、SD卡插槽，以及多个可用于连接GPU卡和 SSD等多种外部设备的PCIe Gen4插槽。

　　BHDFN-9-1（底部散热器 DFN）是一种底部冷却式组件，同样采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。其热阻为0.28 K/W，比肩或优于其他领先设备。BHDFN的外形尺寸为10×10 mm，虽然比常用的 TOLL 封装更小，但具有相似封装布局，因此也可以使用 TOLL 封装的 GaN 功率 IC 进行通用布局，便于使用和评估。
microchip芯片　　移远在模组开发的过程中，一直将安全置于核心位置，从产品架构到固件/软件开发，均遵循领先的行业实践和标准，通过第三方独立测试机构减少潜在漏洞，并将生成SBOMs和VEX文件等安全实践以及执行固件二进制分析纳入整个软件开发生命周期中。
利用其卓尔不凡的霍尔效应 3D 位置传感器产品系列的成员 HAL/HAR 3936*，进一步扩展了其的 Micronas 3D HAL? 位置传感器系列。HAL/HAR 3936 是磁位处理技术的重大进步，旨在满足现代汽车和工业应用场景的苛刻要求。
　　近日，研华发布OSM核心模块ROM-2620，以其超低功耗和小巧型设计革新AIoT应用。其采用SGeT协会OSM标准，集成了NXP i.MX 8ULP处理器支持EdgeLock安全区域。该嵌入式OSM核心模块方案助力客户在智能边缘领域实现落地高性价，小尺寸和低功耗应用。