realtek pcle

　　CMS M多级迷你真空发生器是COVAL研究的成果，旨在为在恶劣工业环境中处理多孔零件、排空罐体或随机抓取等应用提供强大而耐用的解决方案。由于其超紧凑的设计和优化的多级Venturi系统，这些发生器可保证高达550 Nl/min的强力吸气流量，同时在紧凑的空间内减少压缩空气消耗。
realtek pcle禾迈推出了全球首台功率高达 5000 W 新品大微逆MiT（MIT-5000-8T 系列）。该微逆专为工业、商业和大型住宅项目设计，以其天然安心、天生安全、拓界安居、收益安稳等优势，完美适配超大功率组件，轻松应对复杂屋顶，为用户带来更安全、更安心、更安稳的解决方案。
　　MAX32690的蓝牙5.2低功耗 (LE) 射频支持Mesh、长距离（编码）和高吞吐量等多种模式。该器件的RISC-V内核可处理时序关键型控制器任务，让程序员无需担心BLE中断延迟问题。此外，单独提供使用软件编解码器的LE音频硬件。

出样业界容量密度的新一代 GDDR7 显存。1 美光 GDDR7 采用美光的 1β（1-beta）DRAM 技术和创新架构，以优化的功耗设计打造了速率高达 32 Gb/s 的高性能内存。
　　这些负斜率均衡器采用坚固的军用级紧凑同轴封装设计，具有弹性，工作温度范围为0度至+90摄氏度。
　　150mw的输入功率处理允许用户安全地传输更大的功率，而不必担心过载和损坏天线端口。
　　”我们的新系列负斜率均衡器缓解了信号处理通道中的性能问题。它们在补偿放大器宽带增益响应方面特别有用，因为放大器的宽带增益响应通常在频带的上端滚动，”
realtek pcle推出基于电容隔离技术的全新固态继电器产品NSI7258系列，该系列提供工规和车规版本。NSI7258专门为高压测量和绝缘监测而设计，提供业内领先的耐压能力和EMI性能，可帮助提高工业BMS，光储充，新能源汽车BMS和OBC等高压系统的可靠性和稳定性。
　　服务多重电子应用领域、全球前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 发布了一款新的集MPU和MCU两者之长的高性能产品。微处理器(MPU)系统通常更加复杂，处理性能、系统扩展性和数据安全性更高，而微控制器(MCU)系统的优势是简单和集成度高。取两者之长，意法半导体新产品越级进化。
即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。

　　ANDREA BRICCONI | CGD 商务官：“人工智能的爆炸性增长导致能源消耗的显著增加，促使数据中心系统设计师优先考虑将 GaN 用于高功率、高效的功率解决方案。CGD这一新系列 GaN 功率 IC 支持我们的客户和合作伙伴在数据中心实现超过100 kW/机架的功率密度，满足高密度计算的 TDP（热设计功率）趋势的要求。
realtek pcle板载功能包括实时时钟和安全 TPM 2.0。
　　Aaeon UP-Squared-7100 散热器视图操作温度为 0 – 60°C，附带的散热器有足够的空气流通，电源为 12V（15 – 37W），采用 ATX（默认）或 AT 电源。
　　MediaTek T300 下行速率可达227Mbps，上行速率可达122Mbps，提供低功耗5G优势特性。基于符合3GPP 5G R17标准的调制解调器，MediaTek T300 支持多种能效增强功能，包括寻呼早期指示（Paging Early Indication）、UE 寻呼子组（UE Subgrouping ）、追踪参考信号辅助同步（TRS info while idle ）、PDCCH 自适应监测（PDCCH monitoring adaptation ）、RLM 测量放松（RLM relaxation while active）等。
　　MA35H0 系列包含两个 64/32 位 Arm Cortex-A35 内核，时钟速度高达 650 MHz。除了每个内核 32 KB 的 L1 缓存和 512 KB 的 L2 缓存外，MPU 还包括 128 MB 内部 DDR SDRAM，通过在 24 mm2 封装中引入更多内存，消除了对专用外部存储器的需求，这使得 MPU 非常适合计算密集型应用。