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　　C8系列的核心亮点在于其显著缩小的体积（相较于C7系列缩减了50%），同时保持了卓越的性能表现。在微型化方面，C8系列表现出色，为工程师们提供了更为紧凑的设计方案，让他们在享受小巧便利的同时，依然能体验到瑞士微晶RTC模块一贯的高性能标准。
rohm semiconductor　　VOIH72A 开关速度快，脉宽失真低，适用于数据通信、脉宽调制以及自动化设备、电机驱动器和电动工具高压防护。器件瞬态共模噪声抑制（ CMTI ）达 20 kV/μs。光耦供电电流低，是电流噪声隔离和断开接地环路，降低功耗的理想解决方案。
　　除共模滤波器外，10BASE-T1S 通信电路中还包括防物理层设备（PHY）和防静电（ESD）组件以及其它电子元件，而这些元件各有其电容。随着总电容量不断增加，信号波形湍流随之增强，进而导致正常通信中断。为解决这一问题，工程师需要选择适合低电容的元件。

　　浮动螺钉设计提供了一定程度的间隙，以吸收配合时的错位——面板和螺钉之间的间隙可在 X 和 Y 方向上实现 ±0.5mm 的浮动。螺钉预涂有防松剂，可抵抗振动和冲击。
　　德州仪器 Kilby Labs 电源管理研发总监 Jeff Morroni 表示：“设计人员采用电源模块，是为了节省时间、降低复杂性、缩小尺寸并减少元件数量，但之前需要在性能上做出妥协。经过近十年的努力，德州仪器推出了集成磁性封装技术，可助力电源设计人员适应重塑行业格局的电源发展趋势，即在更小的空间内高效地提供更大的输出功率。”
rohm semiconductor　　与SPI版本一样，英飞凌新推出的并行接口F-RAM存储器通过其化学成分获得了出色的非易失性存储器特性，例如用原子态瞬时切换取代了EEPROM技术中的捕获电荷至程序位。F-RAM本身不受软错误、磁场或辐射效应影响，且无需软件来管理页面边界。其接近无限的耐用性（1013个写入周期）意味着不需要损耗均衡。
。随着智能工厂（工业4.0）的兴起，业界对可靠的重载连接器 (HDC) 的需求越来越迫切，这类连接器能自动高效地为各种仓库自动化应用所使用的自动导引车 (AGV) 和自主移动机器人 (AMR) 充电。为此，TE Connectivity推出了其采用混合设计的HDC浮动式充电连接器。
瑞萨电子展示了通过动态可重新配置处理器的瞬时程序切换以及 AI 加速器和 CPU 的并行操作来操作该 SLAM，与单独的嵌入式 CPU 相比，操作速度提高了约 17 倍，运行功率效率提高了约 12 倍。

　　AI 工作负载需要高性能的存储解决方案。9550 SSD 凭借其卓越的顺序和随机读写速率为 AI 用例解锁了出众性能。例如，大型语言模型（LLM）需要高顺序读取速率，而图形神经网络（GNN）则需要高随机读取性能。美光 9550 SSD 在关键 AI 工作负载中的表现出色，工作负载完成时间可缩短高达 33%，在配备大加速器内存（BaM）的 GNN 训练中，特征聚合可提速高达 60%。 此外，美光 9550 SSD 还为 NVIDIA Magnum IO GPUDirect Storage 提供了高达 34% 的更高吞吐量。
rohm semiconductor　　凭借在芯片封装领域丰富的技术经验，三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封装，使移动设备内有多余的空间，促进空气流动。散热控制能力因此得到提升，这一属性对于像端侧人工智能类具有复杂功能的高性能应用尤为关键。
　　与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。
　　此外，MA35H0系列还支持具有内置硬件浮点单元的DSP，提供了进一步的计算能力。在安全性方面，该系列支持Arm TrustZone安全启动、多个加密加速器和隔离的OTP内存，以消除敏感数据被盗的可能。