赛灵思

　　这两款产品的能耗很低，在eUSB收发模式下，功耗130mW；在UART、GPIO和I2C模式下，功耗仅为90mW；待机功耗为23W。两款芯片的传输速率达到480Mbit/s，符合USB 2.0高速规范要求，因此，无线连接可以达到线缆的传输速度和低延迟。
赛灵思　　MicroSpace高压连接器包含端子锁止片（TPA）和连接器二次锁止（CPA）机构。TPA负责确保端子插接和固定无误，而CPA负责确保连接器配接正确，且整体牢固地锁定在一起，不易脱落。这些卓越设计使得该连接器系统在完整性和性能方面备受用户信赖。
　　虚拟现实 (VR) 系统可以利用的深度和 2D 图像来增强空间映射，从而实现更身临其境的游戏和其他 VR 体验，例如虚拟访问或 3D 化身。此外，该传感器能够在短距离和超长距离内检测小物体的边缘，使其适合虚拟现实或SLAM（同时定位和建图）等应用。

XP Power正式宣布推出一款新的小巧型550W AC-DC电源，可用于自然对流冷却、传导冷却和强制空气冷却。这款新的PSU可满足医疗和工业应用，适用于广泛的应用 – 包括密封外壳环境。
推出新系列8款小型高压电子熔断器（eFuse IC）——TCKE9系列，支持多种供电线路保护功能。首批两款产品“TCKE903NL”与“TCKE905ANA”于今日开始支持批量出货，其他产品将陆续上市。
赛灵思　　两款共模片状电感器系列均采用紧凑型封装，并采用铁氧体磁芯设计，可在广泛的频率范围内提供高阻抗，以抑制不需要的传入或传出 EMI 噪声。这些共模片状电感器可满足严格的冲击和振动要求，因为核心采用 0.3/0.4 毫米高的侧壁端子构建，有助于增强 PCB 上组件的机械强度。Bourns SRF4532TA 和 SRF3225TABG 系列还具有低辐射屏蔽结构，工作温度范围分别为 -55 至 +125 °C 和 -40 至 +125 °C。
另一方面，为了解决低导通阻抗对负载电流检测的挑战，希荻微研发人员对电流采样电路结构和布图布局进行创新的设计，并创造性的引入分步校准的理念，以实现低导通阻抗下的电流检测。
0805、1206、2010 和 2512，电阻值为 0.2 毫欧姆。该系列具有高达 100 A 的大额定电流、-55 °C 至 +150 °C 的工作温度范围，并采用卷带包装。

　　这两款图像传感器均采用豪威集团的Nyxel近红外（NIR）技术，可提高700-1050nm波长的QE，从而能够从更远的距离捕捉到更明亮的图像；PureCelPlus-S晶片堆叠架构可实现优异的图像传感器性能；CSP封装技术可实现尽可能小的产品尺寸。
赛灵思强大的片上通信接口包括多个QSPI、UART、CAN 2.0B和I2C串行高速接口，以及一个用于连接音频编解码器的I2S端口。所有接口都支持外设和存储器之间高效的DMA驱动传输，12输入（8个外部）、12位SAR ADC以高达每秒采样百万次 (1 Msps) 的速度对模拟数据进行采样。
该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。这些MOSFET适用于典型的工业应用（包括电动汽车充电、工业驱动器、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、服务器/数据中心、电信等）和汽车领域（包括车载充电器（OBC）、直流-直流转换器等）。
现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC MOSFET 400 V系列。全新MOSFET产品组合专为AI服务器的AC/DC级开发，是对英飞凌近公布的PSU路线图的补充。该系列器件还适用于太阳能和储能系统（ESS）、变频电机控制、工业和辅助电源（SMPS）以及住宅建筑固态断路器。