st半导体

　　该系列集成式电机驱动器器件可由高达29V（工作电压）和40V（瞬态电压）的单电源供电。内部3.3V低压差 （LDO）稳压器为dsPIC DSC 供电，因此无需外部LDO。基于dsPIC DSC 的集成电机驱动器工作频率在70-100 MHz之间，CPU性能高，可支持FOC和其他先进电机控制算法的高效部署。
st半导体在全数字控制电源中，可以由低位微控制器来处理由高速CPU*3和DSP*4等数字控制器承担的功能，从而能以低功耗和低成本来实现模拟控制电源难以实现的高性能。另外，该解决方案可以在LogiCoA微控制器中存储电流和电压值等各种设置值，因此可根据电源电路补偿外围元器件的性能波动。
这一节能与性能兼备的特点节省了系统层面的材料用量（BOM），而小于10 uA的深度睡眠和小于1 uA的休眠模式则为低功耗和电池驱动的应用节省了宝贵的电能。

同时，包括ECU在内的LDO后级器件在工作期间，负载电流容易产生波动，因此需要优异的负载响应特性。而另一方面，要想改善这些特性，提高频率特性中的频率是非常重要的，然而对于LDO, 很难实现在确保有助于电源响应性能的相位裕度的同时，将频率特性提高至更高频段。ROHM利用高速负载响应技术“QuiCur”解决了这一课题，大大提升了新产品的响应性能。
此外，由于为xEV设定了很高的安全标准，驱动电机中使用的功率半导体必须比一般工业应用中使用的功率半导体更可靠。
st半导体　　NORA-W4使用专为IoT而优化的Wi-Fi 6技术，可在工厂、工作场所或库房等环境中显著减少网络拥塞问题，有效提高吞吐量并降低延迟。该模块可向下兼容Wi-Fi 4，同样适用于Wi-Fi基础设施尚未升级的应用环境。
　　当输出电流超过设定阈值时，HL8518会调节功率FET，将输出电流箝位至预设定值。将ILIM引脚接地时，电流限制阈值为内部默认值。芯片根据负载限流情况实现关断或重新激活，恢复电源路径。
由此用比以前更少数量的电容器就可以抑制噪声，从而助力实现电子设备的小型化和高功能化。LXLC21系列已经开始量产，并可提供样品。

　　T2000是继元太在2019年发表T1000后，在时序控制芯片技术上的重大进步。T2000内嵌彩色成像算法（Color Imaging Algorithm），支持元太E Ink Kaleido? 3、E Ink Gallery? 3和E Ink Spectra? 6等的全彩电子纸显示技术。除了提供高质量的影像色彩，和前一代时序控制芯片相比，处理色彩演色（Color Rendering）的速度也快了10倍以上。
st半导体HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一里程碑式进展持续保持行业领先地位，并且凭借 HBM3E 的超凡性能和能效为人工智能（AI）解决方案赋能。
NSIP605x系列通过对输出开关电压的转换速率控制和扩频时钟（SSC）可实现超低噪声和EMI，外围电路仅需简单配置即可满足CISPR25 Class 5要求。ESD性能方面，NSIP605x实现了±8kV 的ESD (HBM)和±2kV的ESD (CDM)性能。出色的EMI和ESD特性使客户可以更加快速便捷的完成系统整体调试，缩短设计时间。
这是一款坚固耐用的工业计算机，用于处理各类机器和离散零件制造自动化应用程序。新的解决方案服务于需要坚固、紧凑、耐用的 IPC 的制造场所和 OEM 机器制造商，以经济高效的方式支持其工业物联网（IIoT）及其他数字化转型计划。